2016/7/20 

p.4 

EMB07P03CS

I   = ‐ 24 A

T   ‐ Junction Tem perature ( °C )

‐50

0.6

0.8

1.0

J

‐25

0

25

50

D

V     = ‐ 10V

1.2

1.4

1.6

GS

150

100

75

125

On‐Resistance Variation with Tem perature

-V - Gate-Source Voltage( V )

1.5

0

10

GS

22.5

V = - 5V

20

30

40

DS

3.5

34

T = 125°C

A

- 55°C

25°C

Transfer Characteristics

Body Diode Forward Voltage Variation

with Source Current and Temperature

25°C

‐V   ‐ Body Diode Forward Voltage( V )

0.6

0.1

0.0001

0

0.001

0.01

SD

0.2

0.4

V    = 0V

10

1

100

T   = 125°C

A

GS

0.8

1.0

‐55°C

1.2

‐ 5.0V

‐V   ‐ Drain‐Source Voltage( V )

0

0

20

40

DS

1

GS

V   = ‐ 10V

‐ 6.0V

60

80

100

23

‐ 4.5V

On‐Region Characteristics

‐ 7.0V

T   = 125°C

‐ V   ‐ Gate‐Source Voltage( V )

2

0.005

0

0.010

4

GS

T   = 25°C

A

A

0.025

0.015

0.020

0.030

8

610

I   = ‐ 15 A

D

On‐Resistance Variation with Gate‐Source Voltage

‐5.0V

‐6.0V

‐7.0V

‐10V

025

50

75

100

0.0

1.0

1.2

1.4

1.6

1.8

2.0

2.2

2.4

2.5

On‐Resistance Variation with Drain Current and Gate Voltage