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LP55135

高性能副边同步整流驱动芯片

LP55135_CN_DS_Rev.0.97

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VCC 供电技术

反激系统：

情况 1（典型应用）： MOS 管，Ciss≤6nF 时，通

过 D 脚给 VCC 供电。如图 5、图 6

GND

VCC

DRV

DRAIN

GND

VCC

DRV

DRAIN

图 5 输出上端

图 6 输出下端

此种方式供电，芯片的带载能力 30W~60W。

情况 2：Ciss＞6nF 时， VCC 可外加 CVF 电路加

强供电，如图 7、图 8

GND

VCC

DRV

DRAIN

GND

VCC

DRV

DRAIN

图 7 输出上端

图 8 输出下端

C1：

取值 MOS 管 Ciss 的 1/10，C1 可以适当调整，

尽量使 VCC 工作于 5.0V~5.4V；D1、D2：用 1N4148。

此种方式供电，芯片的带载能力 60W~120W。

情况 3：输出电压 Vo≈5.0V 时，驱动器的地和输

出的地连接应用， VCC 与输出电容正端之间串接

500Ω~1KΩ电阻如图 9

GND

VCC

DRV

DRAIN

图 9 输出下端

此种方式供电，建议 MOS 管的 Ciss 小于 8nF，芯

片的带载能力 100W~200W。说明：VCC 与输出

电容正端之间串接 500Ω~1KΩ电阻的作用是防止

VCC 与输出电容正端连接走线过长，较强的干扰

信号导致 VCC 脚损伤。

正激系统：

情况 1（典型应用）：MOS 管 Ciss≤6nF，通过 VS

脚给 VCC 供电，如图 10

GND

VCC

DRV

DRAIN

图 10

此种方式供电，芯片的带载能力 30W~60W。

情况 2：Ciss＞6nF 时， VCC 可外加 CVF 电路加

强 VCC 供电，如图 11

GND

VCC

DRV

DRAIN

图 11

C1：

取值 MOS 管 Ciss 的 1/10，C1 可以适当调整，

尽量使 VCC 工作于 5.0V~5.4V；D1、D2：用 1N4148。

此种方式供电，芯片的带载能力 60W~120W。

情况 3：输出电压 Vo≈5.0V 时，VCC 与输出电容

正端之间串接 500Ω~1KΩ电阻，如图 12

GND

VCC

DRV

DRAIN

图 12

此种方式供电，建议 MOS 管的 Ciss 小于 8nF，芯

片的带载能力 100W~200W。说明：VCC 与输出

电容正端之间串接 500Ω~1KΩ电阻的作用是防止

VCC 与输出电容正端连接走线过长，较强的干扰

信号导致 VCC 脚损伤。

备注：

1）以上供电方式： MOS 管的 Ciss 越小，VDS

平台电压越低，频率越小（建议频率小于 66KHz），

芯片的温升效果越好，即带载能力越强

2）同步整流放输出下端，VCC 通过电阻与系

统输出 Vo 正端连接时，Vo 必须<5.5V

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