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MIP2E4DMY Datasheet(PDF) 2 Page - Panasonic Semiconductor

Part # MIP2E4DMY
Description  MIP2E4DMY
PDF  3 Pages
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Manufacturer  PANASONIC [Panasonic Semiconductor]
Direct Link  http://www.panasonic.com/industrial/
Logo PANASONIC - Panasonic Semiconductor

MIP2E4DMY Datasheet(HTML) 2 Page - Panasonic Semiconductor

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MIP2E4DMY
2
SLB00030
BJD
項目
記号
条件
最小
標準
最大
単位
コントロール機能
出力周波数
fOSC
VC
= V
C(CNT)
− 0.2 V
90
100
110
kHz
最大デューティサイクル
MAXDC
VC = VC(CNT) − 0.2 V
66
69
72
%
PWM
ゲイン *
GPWM
11
dB
スロープ補償値 *
m
60
mA/
µs
電源
起動前動作電流
IC(SB)
VC
< V
C(ON)
0.05
0.30
0.6
mA
動作時電流
IC(OP)
VC
= V
C(CNT)
− 0.2 V
0.7
1.8
2.7
mA
起動時コントロール端子電圧
VC(ON)
5.1
6.0
6.6
V
停止時コントロール端子電圧
VC(OFF)
4.1
5.0
5.5
V
起動 / 停止ヒステリシス電圧
∆V
C
0.5
1.0
1.5
V
間欠動作時間比
TSW / TTIM
2%
間欠動作周波数
fTIM
0.5
Hz
コントロール端子充電電流
IC(CHG)
VC
= 0 V
−2.5
−1.9
−1.2
mA
VC = 5 V
−2.0
−1.2
− 0.5
コントロール電圧
VC(CNT)
5.7
6.2
6.6
V
コントロール電圧ヒステリシス *
∆V
C(CNT)
10
mV
最小ドレイン電圧
VD(MIN)
36
V
保護機能
過電流保護検出
ILIMIT
1.35
1.5
1.65
A
オン時ブランキング幅 *
ton(BLK)
0.25
µs
過電流保護遅れ時間 *
td(OCL)
0.1
µs
過熱保護温度 *
TOTP
130
140
°C
ラッチリセット電圧 *
VC reset
2.3
3.3
4.2
V
出力
ドレイン・ソース間オン抵抗
RDS(ON)
ID
= 0.3 A
5.8
6.7
Ω
オフ時ドレイン端子リーク電流
IDSS
VDS = 650 V, VC = 6.5 V
10
250
µA
ドレイン耐圧
VDSS
ID
= 0.25 mA, V
C
= 6.5 V
700
V
立ち上がり時間
tr
0.1
µs
立ち下がり時間
tf
0.1
µs
チャネル・ケース間熱抵抗 *
Rth(ch-c)
3.0
°C/W
チャネル・周囲間熱抵抗 *
Rth(ch-a)
70
°C/W
I 電気的特性 T
C
= 25°C ± 2°C
注 ) * : 設計保証項目



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