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F7F60C3M Datasheet(PDF) 2 Page - Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd

Part # F7F60C3M
Description  Power MOSFET
PDF  2 Pages
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Manufacturer  SHINDENGEN [Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd]
Direct Link  http://www.shindengen.co.jp/
Logo SHINDENGEN - Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd

F7F60C3M Datasheet(HTML) 2 Page - Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd

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background image
＊Si
newaveは50Hzで測定しています。
＊50Hzsi
newavei
susedf
ormeasur
ement
s.
（MOSFET〈2010.
06〉）
www.
s
hi
ndengen.
co.
j
p/
pr
oduct
/
s
emi
/
■特性図 CHARACTERI
STI
C DI
AGRAMS
１４
１０
１２
０
８
４
６
２
１４
１０
１２
０
８
４
６
２
出力特性
Typical Output Characteristics
０５
１０
２０
２５
１５
Tc=25℃
TYP
V
VＧＧSS=４Ｖ
=４Ｖ
VＧS=４Ｖ
Pulse measurement
伝達特性
Transfer Characteristics
０５
１０
２０
１５
VDS=20V
TYP
Ｔｃ=−５５
Ｔｃ=−５５℃
℃
２５
２５℃
℃
Ｔｃ=−５５℃
２５℃
Pulse measurement
１５０
 １５０℃
℃
１５０℃
１００
 １００℃
℃
１００℃
ドレイン・ソース間オン抵抗─ドレイン電流
Static Drain-Source On-static Resistance vs Drain Current
ドレイン・ソース間オン抵抗─ケース温度
Static Drain-Source On-static Resistance vs Case Temperature
１
２
１０
５
０．
２
０．
１
０．
５
１
２
１０ １４
５
VGS＝10V
Tc＝２５℃
TYP
Pulse measurement
１０
１
０．
０１
０．
１
１０
１
０．
０１
０．
１
−５５
０
１００
１５０
５０
−５５
０
１００
１５０
５０
VGS＝10V
Pulse test
TYP
Pulse measurement
IIDD==３．
５
３．
５A
A
ID=３．
５A
ゲートしきい値電圧─ケース温度
Gate Threshold Voltage vs Case
Temperature
５
０
４
３
２
１
VDS＝１０V
ID=０．
３５mA
TYP
Pulse measurement
安全動作領域
Safe Operating Area
Ｃｉｓｓ
Ｃｉｓｓ
Ｃｉｓｓ
Ｃoｓｓ
Ｃoｓｓ
Ｃoｓｓ
Ｃrｓｓ
Ｃrｓｓ
Ｃrｓｓ
１０
７
５０
２１
１４
０．
０１
１
０．
１
１０
０
６００
１００
Tc＝２５℃
Single pulse
RRDS
DS（
（on
on）
）
Restricted space
Restricted space
RDS（on）
Restricted space
DC
DC
DC
10ms
10ms
10ms
1ms
1ms
1ms
200μs
200μs
200μs
100μs
100μs
100μs
10μs
10μs
10μs
過渡熱抵抗
Transient Thermal Impedance
１０-４
１０-５
１０-３ １０-２ １０-１ １００
１０３
１０２
１０１
Time t〔s〕
キャパシタンス特性
Capacitance Characteristics
１００００
１０００
１
１００
１０
f＝１MHz
Tc＝２５℃
TYP
０
２０
８０
１００
４０
６０
０
１００
６０
８０
４０
２０
全損失減少率─ケース温度
Power Derating - Case Temperature
０
２５
５０
７５
１２５
１５０
１００
VVＧＧSS
VＧS
VVDS
DS
VDS
０
１５
２０
１０
５
ゲートチャージ特性
０
４００
５００
３００
２００
１００
Gate Charge Characteristics
０
１０
２０
４０
５０
３０
ID=７A
TYP
VVDD
DD
==２２４
２２４Ｖ
Ｖ
１１２
１１２Ｖ
Ｖ
５６
５６Ｖ
Ｖ
VDD=２２４Ｖ
１１２Ｖ
５６Ｖ
Drain Source Voltage VDS〔V〕
Gate Source Voltage VGS〔V〕
Drain Current ID〔A〕
Case Ｔemperature Tc〔℃〕
Case Temperature Tc〔℃〕
Drain Source Voltage VDS〔V〕
Drain Source Voltage VDS〔Ｖ〕
Case Temperature Tc〔℃〕
Total Gate Charge Qg〔nC〕
θ
θjcjc
θjc
V
VＧＧSS==５
５Ｖ
Ｖ
VＧS=５Ｖ
V
VＧＧSS==１０
１０Ｖ
Ｖ
８
８Ｖ
Ｖ
６
６Ｖ
Ｖ
VＧS=１０Ｖ
８Ｖ
６Ｖ
F7F60C3M



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