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F39W60CP Datasheet(PDF) 2 Page - Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd

Part # F39W60CP
Description  Power MOSFET
PDF  4 Pages
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Manufacturer  SHINDENGEN [Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd]
Direct Link  http://www.shindengen.co.jp/
Logo SHINDENGEN - Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd

F39W60CP Datasheet(HTML) 2 Page - Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd

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pr
oduct
/
s
emi
/
■特性図 CHARACTERI
STI
C DI
AGRAMS
７８
７８
６
０
７
０
３０
５０
０
４０
２０
１０
６
０
７
０
３０
５０
０
４０
２０
１０
出力特性
Typical Output Characteristics
０２
４
８
１０
６
Tc=25℃
TYP
V
VＧＧSS==６Ｖ
６Ｖ
VＧS=６Ｖ
５Ｖ
５Ｖ
VＧS=５Ｖ
V
VＧＧSS=４Ｖ
=４Ｖ
VＧS=４Ｖ
V
VＧＧSS=４Ｖ
=４Ｖ
V
VＧＧSS=４Ｖ
=４Ｖ
V
VＧＧSS=４Ｖ
=４Ｖ
VＧS=４Ｖ
Pulse measurement
伝達特性
Transfer Characteristics
０５
１０
２０
１５
VDS=20V
TYP
Pulse measurement
１５０
 １５０℃
℃
１５０℃
ドレイン・ソース間オン抵抗─ドレイン電流
Static Drain-Source On-static Resistance vs Drain Current
ドレイン・ソース間オン抵抗─ケース温度
Static Drain-Source On-static Resistance vs Case Temperature
０．
１１
０．
２
１０ ２０
７８
５０
０．
５
２
５
VGS＝１０V
Tc＝２５℃
TYP
Pulse measurement
１
０．
０１
０．
１
０．
０２
０．
２
０．
０５
０．
５
−５５
０
１００
１５０
５０
−５５
０
１００
１５０
５０
VGS＝10V
Pulse test
TYP
Pulse measurement
IIDD=1
=1９.５
９.５A
A
ID=1９.５A
ゲートしきい値電圧─ケース温度
Gate Threshold Voltage vs Case
Temperature
５
０
４
３
２
１
VDS＝１０V
ID=1mA
TYP
Pulse measurement
安全動作領域
Safe Operating Area
Ｃｉｓｓ
Ｃｉｓｓ
Ｃｉｓｓ
Ｃoｓｓ
Ｃoｓｓ
Ｃoｓｓ
Ｃrｓｓ
Ｃrｓｓ
Ｃrｓｓ
１０
１５０
１００
１１７
７８
３９
０．
１
１
１０
１
６００
１００
Tc＝２５℃
Single pulse
DC
DC
DC
10ms
10ms
10ms
1ms
1ms
1ms
200μs
200μs
200μs
100μs
100μs
100μs
10μs
10μs
10μs
過渡熱抵抗
Transient Thermal Impedance
１０
０.００１
０.０１
１
０.１
１０-４
１０-５
１０-３
１０-２
１０-１
１００
１０１
Time t〔s〕
キャパシタンス特性
Capacitance Characteristics
１０００００
１００００
１０００
０.１
１
１００
１０
f＝１MHz
Tc＝２５℃
TYP
０
１００
４００
６００
５００
２００
３００
０
１００
６０
８０
４０
２０
全損失減少率─ケース温度
Power Derating - Case Temperature
０
２５
５０
７５
１２５
１５０
１００
VVＧＧSS
VＧS
VVDS
DS
VDS
０
１５
２０
１０
５
ゲートチャージ特性
０
４００
５００
３００
２００
１００
Gate Charge Characteristics
０
３０
６０
１２０
１５０
８０
ID=３９A
TYP
Drain Source Voltage VDS〔V〕
Gate Source Voltage VGS〔V〕
Drain Current ID〔A〕
Case Ｔemperature Tc〔℃〕
Case Temperature Tc〔℃〕
Drain Source Voltage VDS〔V〕
Drain Source Voltage VDS〔Ｖ〕
Case Temperature Tc〔℃〕
Total Gate Charge Qg〔nC〕
０.１
０.２
０．
０１
０.５
０．
０５
０．
０２
VＧS=１０Ｖ
VＧS=８Ｖ
Ｔｃ=−５５
Ｔｃ=−５５℃
℃
２５
２５℃
℃
Ｔｃ=−５５℃
２５℃
１００
１００℃
℃
１００℃
VVDD
DD
==４００
４００Ｖ
Ｖ
２００
２００Ｖ
Ｖ
１００
１００Ｖ
Ｖ
VDD=４００Ｖ
２００Ｖ
１００Ｖ
RRDS
DS（
（on
on）
）
Restricted space
Restricted space
RDS（on）
Restricted space
F39W60CP
（MOS-P〈2011.2〉）
＊Si
newaveは50Hzで測定しています。
＊50Hzsi
newavei
susedf
ormeasur
ement
s.
Title:diode-A.ec9 Page:33
Date: 2011/02/17 Thu 14:01:38



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