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P7F60HP2 Datasheet(PDF) 2 Page - Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd

Part # P7F60HP2
Description  Power MOSFET
PDF  4 Pages
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Manufacturer  SHINDENGEN [Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd]
Direct Link  http://www.shindengen.co.jp/
Logo SHINDENGEN - Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd

P7F60HP2 Datasheet(HTML) 2 Page - Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd

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co.
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p/
pr
oduct
/
s
emi
/
（MOSFET〈2012.06〉）
■特性図 CHARACTERI
STI
C DI
AGRAMS
０
１００
６０
８０
４０
２０
全損失減少率─ケース温度
Power Derating - Case Temperature
０
２５
５０
７５
１２５
１５０
１００
Case Temperature Tc〔℃〕
単発アバランシェエネルギー減少率 - チャネル温度
Single Avalanche Energy Derating vs Channel Temperature
１００
０
８０
６０
４０
２０
０
５０
１００
１５０
Starting Channel Temperature Tch〔℃〕
伝達特性
Transfer Characteristics
０５
１０
２０
１５
Pulse measurement
Gate・Source Voltage VDS〔V〕
VDS=２５V
TYP
Ｔｃ=１５０℃
Ｔｃ=１００℃
Ｔｃ= ２５℃
Ｔｃ=−５５℃
０
６
１４
１２
１０
８
４
２
０
６
１４
１２
１０
８
４
２
０５
１０
２０
２５
１５
Pulse measurement
Drain・Source Voltage VDS〔V〕
TGS=２５℃
TYP
VVGS
GS
==５
５VV
VGS=５V
出力特性
Typical Output Characteristics
ドレイン・ソース間オン抵抗─ドレイン電流
Static Drain-Source On-state Resistance vs Drain Current
１
５
０．
１
０．
１
１０ １４
１
VGS＝10V
Tc＝２５℃
TYP
Pulse measurement
Drain Current ID〔A〕
ドレイン・ソース間オン抵抗─ケース温度
Static Drain-Source On-state Resistance vs Case Temperature
１０
１
０．
１
−５５
０
１００
１５０
５０
VGS＝10V
TYP
Pulse measurement
Case Ｔemperature Tc〔℃〕
IIDD==３.５
３.５A
A
ID=３.５A
−５５
０
１００
１５０
５０
ゲートしきい値電圧─ケース温度
Gate Threshold Voltage vs Case
Temperature
６
５
４
３
２
１
VDS＝１０V
ID=１mA
TYP
Pulse measurement
Case Temperature Tc〔℃〕
安全動作領域
Safe Operating Area
１０
１４
２１
２8
５０
０．
０１
０．
１
１
７
１０
１
６００
１００
１０００
Tc＝２５℃
Single pulse
DC
DC
DC
10ms
10ms
10ms
1ms
1ms
1ms
100μs
100μs
100μs
10μs
10μs
10μs
Drain・Source Voltage VDS〔V〕
過渡熱抵抗
Transient Thermal Impedance
１０
０.００１
０.０１
１
０.１
１０−４
１０−５
１０−３ １０−２ １０−１ １００ １０１ １０2 １０3
Time t〔s〕
Ｃｉｓｓ
Ｃｉｓｓ
Ｃｉｓｓ
Ｃoｓｓ
Ｃoｓｓ
Ｃoｓｓ
Ｃrｓｓ
Ｃrｓｓ
Ｃrｓｓ
キャパシタンス特性
Capacitance Characteristics
１００００
１０００
１００
１
１０
f＝１MHz
Tc＝２５℃
TYP
０
１００
６００
５００
２００
４００
３００
Drain・Source Voltage VDS〔Ｖ〕
VVＧＧSS
VＧS
VVDS
DS
VDS
０
１６
２０
１2
８
４
ゲートチャージ特性
０
５００
３００
４００
２００
１００
Gate Charge Characteristics
０５
１０
２５
２０
３０
１５
ID=７A
TYP
Total Gate Charge Qg〔nC〕
VVDD
DD
==４００
４００Ｖ
Ｖ
２００
２００Ｖ
Ｖ
１００
１００Ｖ
Ｖ
VDD=４００Ｖ
２００Ｖ
１００Ｖ
VDD=100V
VGS=15V, −0V
Rg=100Ω
単発アバランシェ電流-インダクタンス
Single Avalanche Current vs Inductive Load
０.１
１
７
１０
０.０1
０.1
１
１０
１００
Inductance L〔mH〕
IIAS
AS
==７
７A
A
EEAS
AS
==５０
５０mJ
mJ
IAS=７A
EAR=５mJ
EAS=５０mJ
VVGS
GS
==１０
１０VV
VGS=１０V
８
８VV
８V
６
６VV
６V
RDS（ON）Limited
（at VGS=10V）
Power Dissipation
Limited
P7F60HP2
＊Si
newaveは50Hzで測定しています。
＊ 50Hzsi
newavei
susedf
ormeasur
ement
s.
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