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P8B30HP2 Datasheet(PDF) 2 Page - Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd

Part # P8B30HP2
Description  Power MOSFET
PDF  4 Pages
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Manufacturer  SHINDENGEN [Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd]
Direct Link  http://www.shindengen.co.jp/
Logo SHINDENGEN - Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd

P8B30HP2 Datasheet(HTML) 2 Page - Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd

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background image
０
１００
６０
８０
４０
２０
全損失減少率 −ケース温度
０
２５
５０
７５
１２５
１５０
１００
Case Temperature Tc〔℃〕
単発アバランシェエネルギー減少率−チャネル温度
１００
０
８０
６０
４０
２０
０
５０
１００
１５０
Starting Channel Temperature Tch〔℃〕
単発アバランシェ電流−インダクタンス
TC=２５℃
TYP
VGS=１０V
８V
出力特性
Drain・Source Voltage VDS〔V〕
０
１６
１４
８
４
１０
１２
６
２
０２
４
８
６
１
３７
５
Pulse measurement
VGS=６V
VGS=５V
Typical Output Characteristics
Pulse measurement
VDS=１５V
TYP
Ｔｃ=１５０℃
Ｔｃ= −５５℃
Ｔｃ=２５℃
Ｔｃ=１００℃
伝達特性
Gate・Source Voltage VGS〔V〕
０２４
８
１０
６
Transfer Characteristics
０
４
８
１２
１６
１４
１０
６
２
ドレイン・ソース間オン抵抗−ドレイン電流
Static Drain-Source On-state Resistance vs Drain Current
Drain Current ID〔A〕
０.１
１
２
０.１
１０ １６
１
Pulse measurement
VGS＝10V
Tc＝２５℃
TYP
ドレイン・ソース間オン抵抗−ケース温度
Case Ｔemperature Tc〔℃〕
０.０５
０.１
１
５
Pulse measurement
−５５
０
１００
１５０
５０
VGS＝10V
TYP
ID=４A
Static Drain-Source On-state Resistance vs Case Temperature
ゲートしきい値電圧−ケース温度
Case Ｔemperature Tc〔℃〕
Pulse measurement
−５５
０
１００
１５０
５０
VDS＝１０V
ID=１mA
TYP
４.５
５
４
３.５
３
２.５
２
Gate Threshold Voltage vs Case Temperature
安全動作領域
Safe Operating Area
Drain・Source Voltage VDS〔V〕
RDS（ON）Limited
（at VGS=10V）
Power Dissipation
Limited
Tc＝２５℃
Single pulse
10ms
1ms
100μs
10μs
DC
１６
２４
３２
１０
８
５０
０．
０１
１
０．
１
１０
１
３００
１００
過渡熱抵抗
Transient Thermal Resistance
１０
０.００１
０.０１
１
０.１
Time t〔s〕
１０-５ １０-４ １０-3 １０-2
１０-1 １０0
１０2
１０1
キャパシタンス特性
Capacitance Characteristics
Drain・Source Voltage VDS〔Ｖ〕
Ｃｉｓｓ
Ｃｉｓｓ
Ｃｉｓｓ
Ｃoｓｓ
Ｃoｓｓ
Ｃoｓｓ
Ｃrｓｓ
Ｃrｓｓ
Ｃrｓｓ
Tc＝２５℃
f＝１MHz
TYP
Power Derating - Case Temperature
VVDS
DS
VDS
０
２０
ゲートチャージ特性
０
２５０
１５０
２００
１００
５０
０２
４
６８
１２
１４ １６
１０
ID=８A
TYP
Total Gate Charge Qg〔nC〕
VＧS
VDD= ２００Ｖ
１
００Ｖ
５０V
Gate Charge Characteristics
１２
１６
４
８
Single Avalanche Energy Derating vs Channel Temperature
Inductance L〔mH〕
Single Avalanche Current vs Inductive Load
０.１
５０
１
１０
VDD=１００V
VGS=１５V, −０V
Rg=７０Ω
０.０１
０.１
１
１０
１００
EAR=４.５mJ
EAS=４５mJ
IAS=８A
１０００
１００
１
１０
０
３００
１００
２５０
５０
１５０
２００



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