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P42F6EN Datasheet(PDF) 2 Page - Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd

Part # P42F6EN
Description  Power MOSFET
PDF  4 Pages
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Manufacturer  SHINDENGEN [Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd]
Direct Link  http://www.shindengen.co.jp/
Logo SHINDENGEN - Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd

P42F6EN Datasheet(HTML) 2 Page - Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd

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background image
■特性図 CHARACTERI
STI
C DI
AGRAMS
０
１００
６０
８０
４０
２０
全損失減少率 −ケース温度
Power Derating - Case Temperature
０
２５
５０
７５
１２５
１５０
１００
Case Temperature Tc〔℃〕
単発アバランシェエネルギー減少率−チャネル温度
Single Avalanche Energy Derating vs Channel Temperature
１００
０
８０
６０
４０
２０
０
５０
１００
１５０
Starting Channel Temperature Tch〔℃〕
過渡熱抵抗
TC=２５℃
TYP
出力特性
Typical Output Characteristics
Drain・Source Voltage VDS〔V〕
０
８０
８４
６０
４０
２０
７０
５０
３０
１０
０
０.２
０.４
０.８
０.６
０.１
０.３
０.７
０.５
Pulse measurement
VGS=１０V
８V
６V
５V
伝達特性
Transfer Characteristics
Gate・Source Voltage VGS〔V〕
０
８４
７０
５０
３０
２０
８０
６０
４０
１０
０１
２
４
５
６
７８
３
Pulse measurement
VDS=１０V
TYP
Ｔｃ=１５０℃
Ｔｃ= −５５℃
Ｔｃ=２５℃
Ｔｃ=１００℃
ドレイン・ソース間オン抵抗−ドレイン電流
Static Drain-Source On-state Resistance vs Drain Current
Drain Current ID〔A〕
1
50
10
1
１０
84
Pulse measurement
VGS＝10V
Tc＝２５℃
TYP
ドレイン・ソース間オン抵抗−ケース温度
Static Drain-Source On-state Resistance vs Case Temperature
Case Ｔemperature Tc〔℃〕
１
１０
５０
Pulse measurement
−５５
０
１００
１５０
５０
VGS＝10V
TYP
ID=２１A
ゲートしきい値電圧−ケース温度
Gate Threshold Voltage vs Case
Temperature
Case Ｔemperature Tc〔℃〕
Pulse measurement
−５５
０
１００
１５０
５０
VDS＝１０V
ID=１mA
TYP
４
３
２.５
３.５
５
４.５
２
１.５
０
安全動作領域
Safe Operating Area
Drain・Source Voltage VDS〔V〕
RDS（ON）Limited
（at VGS=10V）
Power Dissipation
Limited
Tc＝２５℃
Single pulse
10ms
1ms
100μs
10μs
DC
４２
５００
１６８
１２６
８４
０．
１
１０
１
１
10
０.１
100
６０
Time t〔s〕
１０-５ １０-４ １０-3 １０-2 １０-1 １０0
１０2 １０3
１０1
Transient Thermal Impedance
０.１
０.０１
１
１００
１０
θja
θjc
キャパシタンス特性
Capacitance Characteristics
Drain・Source Voltage VDS〔Ｖ〕
Ｃｉｓｓ
Ｃｉｓｓ
Ｃｉｓｓ
Ｃoｓｓ
Ｃoｓｓ
Ｃoｓｓ
Ｃrｓｓ
Ｃrｓｓ
Ｃrｓｓ
Tc＝２５℃
f＝１MHz
TYP
１００００
１０００
１０
１００
０
６０
４０
５０
１０
２０
３０
VVＧＧSS
VＧS
０
２０
１０
ゲートチャージ特性
０
６０
４０
５０
３０
２０
１０
Gate Charge Characteristics
０
２０
１０
３０
５０ ６０
４０
８０
７０
ID=４２A
TYP
Total Gate Charge Qg〔nC〕
VDD=４８Ｖ
２４Ｖ
VVDS
DS
VDS
〔Aℓ：37.5mm×37.5mm×3mm〕
Tc＝２５℃
f＝１MHz
TYP
P42F6EN
＊Si
newaveは50Hzで測定しています。
＊ 50Hzsi
newavei
susedf
ormeasur
ement
s.
www.
s
hi
ndengen.
co.
j
p/
pr
oduct
/
s
emi
/
（MOS-p〈2014.07〉）



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