FS30R06VE3 datasheet(4/7 Pages) INFINEON

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TechnischeInformation/TechnicalInformation

FS30R06VE3

IGBT-Module

IGBT-modules

preparedby:DPK

approvedby:RK

dateofpublication:2013-10-03

revision:2.0

VorläufigeDaten

PreliminaryData

SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)

switchinglossesIGBT,Inverter(typical)

Eon=f(RG),Eoff=f(RG)

VGE=±15V,IC=30A,VCE=300V

RG [

Ω]

100

120

140

160

0,0

0,5

1,0

1,5

2,0

2,5

3,0

3,5

4,0

Eon, Tvj = 125°C

Eoff, Tvj = 125°C

Eon, Tvj = 150°C

Eoff, Tvj = 150°C

TransienterWärmewiderstandIGBT,Wechselrichter

transientthermalimpedanceIGBT,Inverter

ZthJH=f(t)

t [s]

0,001

0,01

0,1

ZthJH : IGBT

ri[K/W]:

τi[s]:

0,161

0,0005

0,314

0,005

0,962

0,05

0,913

0,2

SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,Wechselrichter

(RBSOA)

reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA)

IC=f(VCE)

VGE=±15V,RGoff=15

Ω,Tvj=150°C

VCE [V]

200

400

600

800

IC, Modul

IC, Chip

DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch)

forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical)

IF=f(VF)

VF [V]

0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2

Tvj = 25°C

Tvj = 125°C

Tvj = 150°C

FS30R06VE3 Datasheet(PDF) 4 Page - Infineon Technologies AG

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